
货期:国内(1~3工作日)
起订量:10
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ¥0.384696 | ¥3.85 |
| 100 | ¥0.300641 | ¥30.06 |
| 600 | ¥0.25857 | ¥155.14 |
| 1200 | ¥0.254689 | ¥305.63 |
| 3000 | ¥0.22706 | ¥681.18 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 43 ns
正向跨导(Min) 200 mS
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RYC002N05
单位重量 8 mg
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0RYC002N05T316
型号:RYC002N05T316
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 10+: | ¥0.384696 |
| 100+: | ¥0.300641 |
| 600+: | ¥0.25857 |
| 1200+: | ¥0.254689 |
| 3000+: | ¥0.22706 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00