DMT6007LFG-7
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- 制造商编号：
- DMT6007LFG-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥2.742171 | ￥5484.34 |
| 4000 | ￥2.68718 | ￥10748.72 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 41.3 nC
耗散功率 2.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.7 ns
正向跨导（Min） 100 S
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23.4 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
DMT6007LFG-7 同类别型号
注
DMT6007LFG-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMT6007LFG-7
数据手册PDF
。
DMT6007LFG-7
型号：DMT6007LFG-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥2.742171 |
| 4000+： | ￥2.68718 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00