BSC889N03LSGATMA1
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- 制造商编号：
- BSC889N03LSGATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：9
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 9 | ￥11.312886 | ￥101.82 |
| 20 | ￥10.8778 | ￥217.56 |
| 50 | ￥10.442714 | ￥522.14 |
| 100 | ￥10.007629 | ￥1000.76 |
| 300 | ￥9.572543 | ￥2871.76 |
| 500 | ￥9.137293 | ￥4568.65 |
| 1000 | ￥8.702208 | ￥8702.21 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSC889N03LSGATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13A (Ta), 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
9mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
16nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1300pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 28W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
BSC889N03LSGATMA1 同类别型号
注
BSC889N03LSGATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、BSC889N03LSGATMA1
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。
BSC889N03LSGATMA1
型号：BSC889N03LSGATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 9+： | ￥11.312886 |
| 20+： | ￥10.8778 |
| 50+： | ￥10.442714 |
| 100+： | ￥10.007629 |
| 300+： | ￥9.572543 |
| 500+： | ￥9.137293 |
| 1000+： | ￥8.702208 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00