
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.255762 | ¥5.26 |
| 10 | ¥3.707443 | ¥37.07 |
| 100 | ¥1.872188 | ¥187.22 |
| 500 | ¥1.659117 | ¥829.56 |
| 1000 | ¥1.291213 | ¥1291.21 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 43 ns
正向跨导(Min) 200 mS
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RYC002N05
单位重量 8 mg
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0RYC002N05T316
型号:RYC002N05T316
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.255762 |
| 10+: | ¥3.707443 |
| 100+: | ¥1.872188 |
| 500+: | ¥1.659117 |
| 1000+: | ¥1.291213 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.26