货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.583878 | ¥4.58 |
10 | ¥3.233492 | ¥32.33 |
100 | ¥1.632853 | ¥163.29 |
500 | ¥1.44702 | ¥723.51 |
1000 | ¥1.126148 | ¥1126.15 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 43 ns
正向跨导(Min) 200 mS
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RYC002N05
单位重量 8 mg
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0RYC002N05T316
型号:RYC002N05T316
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.583878 |
10+: | ¥3.233492 |
100+: | ¥1.632853 |
500+: | ¥1.44702 |
1000+: | ¥1.126148 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.58