
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.030688 | ¥3.03 |
| 10 | ¥1.863873 | ¥18.64 |
| 100 | ¥1.156208 | ¥115.62 |
| 500 | ¥0.843744 | ¥421.87 |
| 1000 | ¥0.742366 | ¥742.37 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 1.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 RK7002BMHZG
单位重量 8 mg
购物车
0RK7002BMHZGT116
型号:RK7002BMHZGT116
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥3.030688 |
| 10+: | ¥1.863873 |
| 100+: | ¥1.156208 |
| 500+: | ¥0.843744 |
| 1000+: | ¥0.742366 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.03