
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.160966 | ¥482.90 |
| 6000 | ¥0.149351 | ¥896.11 |
| 9000 | ¥0.128243 | ¥1154.19 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 335 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 400 fC
耗散功率 270 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 102 ns
典型接通延迟时间 3.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
购物车
0DMN65D9L-7
型号:DMN65D9L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.160966 |
| 6000+: | ¥0.149351 |
| 9000+: | ¥0.128243 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00