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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.279574 | ¥838.72 |
6000 | ¥0.259347 | ¥1556.08 |
9000 | ¥0.21508 | ¥1935.72 |
30000 | ¥0.211264 | ¥6337.92 |
75000 | ¥0.189742 | ¥14230.65 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 335 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 400 fC
耗散功率 270 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 102 ns
典型接通延迟时间 3.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN65D9L-7
型号:DMN65D9L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.279574 |
6000+: | ¥0.259347 |
9000+: | ¥0.21508 |
30000+: | ¥0.211264 |
75000+: | ¥0.189742 |
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