GTVA311801FA-V1-R2
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- 制造商编号：
- GTVA311801FA-V1-R2
- 制造商：
- CREE(科锐)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
- 渠道：
- digikey
库存 ：250
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6183.803411 | ￥6183.80 |
| 100 | ￥5330.907755 | ￥533090.78 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
GTVA311801FA-V1-R2
制造商
CREE(科锐)
商品描述
GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
GaN
零件状态
Active
晶体管类型
HEMT
频率
2.7GHz ~ 3.1GHz
增益
15dB
电压 - 测试
50V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
20mA
功率 - 输出
180W
电压 - 额定
125V
封装/外壳
H-37265J-2
供应商器件封装
H-37265J-2
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注
GTVA311801FA-V1-R2品牌厂家：CREE
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、GTVA311801FA-V1-R2
数据手册PDF。
GTVA311801FA-V1-R2
型号：GTVA311801FA-V1-R2
品牌：CREE
供货：锐单
库存：250 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6183.803411 |
| 100+： | ￥5330.907755 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6183.80