
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.182222 | ¥3.18 |
| 10 | ¥1.89418 | ¥18.94 |
| 100 | ¥1.175907 | ¥117.59 |
| 500 | ¥0.858595 | ¥429.30 |
| 1000 | ¥0.755552 | ¥755.55 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 335 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 400 fC
耗散功率 270 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 102 ns
典型接通延迟时间 3.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN65D9L-7
型号:DMN65D9L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥3.182222 |
| 10+: | ¥1.89418 |
| 100+: | ¥1.175907 |
| 500+: | ¥0.858595 |
| 1000+: | ¥0.755552 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.18