AONR21321
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- AONR21321
- 制造商：
- AOS
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP
- 渠道：
- digikey
库存 ：75070
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.758937 | ￥10.76 |
| 10 | ￥6.697817 | ￥66.98 |
| 100 | ￥4.30206 | ￥430.21 |
| 500 | ￥3.271323 | ￥1635.66 |
| 1000 | ￥2.938555 | ￥2938.55 |
| 2000 | ￥2.658519 | ￥5317.04 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
AONR21321
制造商
AOS
商品描述
MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
16.5mOhm @ 12A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
34nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1180pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4.1W (Ta), 24W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-DFN-EP (3x3)
封装/外壳
8-PowerVDFN
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注
AONR21321品牌厂家：AOS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、AONR21321
数据手册PDF。
AONR21321
型号：AONR21321
品牌：AOS
供货：锐单
库存：75070 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.758937 |
| 10+： | ￥6.697817 |
| 100+： | ￥4.30206 |
| 500+： | ￥3.271323 |
| 1000+： | ￥2.938555 |
| 2000+： | ￥2.658519 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.76