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RS1E180BNTB

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
RS1E180BNTB
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 7.791912 7.79
10 6.701045 67.01
25 6.25053 156.26
100 4.641146 464.11
250 4.409372 1102.34
500 3.623664 1811.83
1000 2.945343 2945.34

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 18 A

漏源电阻 3.5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 46 nC

耗散功率 25 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 20 ns

上升时间 50 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 80 ns

典型接通延迟时间 16 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 RS1E180BN

单位重量 771.020 mg

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RS1E180BNTB

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型号:RS1E180BNTB

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥7.791912
10+: ¥6.701045
25+: ¥6.25053
100+: ¥4.641146
250+: ¥4.409372
500+: ¥3.623664
1000+: ¥2.945343

货期:7-10天

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