货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.795814 | ¥6.80 |
10 | ¥5.8444 | ¥58.44 |
25 | ¥5.451478 | ¥136.29 |
100 | ¥4.047833 | ¥404.78 |
250 | ¥3.845688 | ¥961.42 |
500 | ¥3.160423 | ¥1580.21 |
1000 | ¥2.568817 | ¥2568.82 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1E180BN
单位重量 771.020 mg
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0RS1E180BNTB
型号:RS1E180BNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.795814 |
10+: | ¥5.8444 |
25+: | ¥5.451478 |
100+: | ¥4.047833 |
250+: | ¥3.845688 |
500+: | ¥3.160423 |
1000+: | ¥2.568817 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.80