
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.791912 | ¥7.79 |
| 10 | ¥6.701045 | ¥67.01 |
| 25 | ¥6.25053 | ¥156.26 |
| 100 | ¥4.641146 | ¥464.11 |
| 250 | ¥4.409372 | ¥1102.34 |
| 500 | ¥3.623664 | ¥1811.83 |
| 1000 | ¥2.945343 | ¥2945.34 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RS1E180BN
单位重量 771.020 mg
购物车
0RS1E180BNTB
型号:RS1E180BNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.791912 |
| 10+: | ¥6.701045 |
| 25+: | ¥6.25053 |
| 100+: | ¥4.641146 |
| 250+: | ¥4.409372 |
| 500+: | ¥3.623664 |
| 1000+: | ¥2.945343 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.79