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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
500 | ¥3.805153 | ¥1902.58 |
1000 | ¥3.099643 | ¥3099.64 |
2500 | ¥2.917937 | ¥7294.84 |
5000 | ¥2.778995 | ¥13894.98 |
12500 | ¥2.650778 | ¥33134.72 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12.2 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11.2 ns, 8.7 ns
上升时间 6.4 ns, 2.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 29.2 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns, 1.7 ns
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMC3A17DN8TA
型号:ZXMC3A17DN8TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
500+: | ¥3.805153 |
1000+: | ¥3.099643 |
2500+: | ¥2.917937 |
5000+: | ¥2.778995 |
12500+: | ¥2.650778 |
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