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起订量:267
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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267 | ¥7.557394 | ¥2017.82 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 7.4 A
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 3.13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 6.4 S
上升时间 80 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 7.88 mm
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQI7N60TU_NL
单位重量 2.387 g
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0FQI7N60TU
型号:FQI7N60TU
品牌:ON
供货:锐单
单价:
267+: | ¥7.557394 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00