货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.19121 | ¥12.19 |
10 | ¥9.976889 | ¥99.77 |
100 | ¥7.757591 | ¥775.76 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12.2 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11.2 ns, 8.7 ns
上升时间 6.4 ns, 2.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 29.2 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns, 1.7 ns
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 750 mg
购物车
0ZXMC3A17DN8TA
型号:ZXMC3A17DN8TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.19121 |
10+: | ¥9.976889 |
100+: | ¥7.757591 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.19