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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥2.379326 | ¥2.38 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 1.7 A
漏源电阻 7.02 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 49 ns
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 7.3 ns
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN50R3K0CE SP001424878
单位重量 112 mg
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0IPN50R3K0CEATMA1
型号:IPN50R3K0CEATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.379326 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.38