NTUD3170NZT5G
库存 ：10932
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.154974 | ￥8.15 |
| 10 | ￥6.944084 | ￥69.44 |
| 100 | ￥5.187058 | ￥518.71 |
| 500 | ￥4.07551 | ￥2037.76 |
| 1000 | ￥3.149303 | ￥3149.30 |
| 2000 | ￥2.871416 | ￥5742.83 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 220 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 125 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 80 ns
正向跨导（Min） 0.48 S
上升时间 25.5 nd
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 142 ns
典型接通延迟时间 16.5 ns
外形参数
高度 0.37 mm
长度 1 mm
宽度 0.8 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Small Signal MOSFET
单位重量 1.190 mg
NTUD3170NZT5G 同类别型号
注
NTUD3170NZT5G
型号：NTUD3170NZT5G
品牌：ON
供货：锐单
库存：10932 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.154974 |
| 10+： | ￥6.944084 |
| 100+： | ￥5.187058 |
| 500+： | ￥4.07551 |
| 1000+： | ￥3.149303 |
| 2000+： | ￥2.871416 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.15