STN1NK80Z
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- 制造商编号：
- STN1NK80Z
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223
- 渠道：
- digikey
库存 ：4096
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.287457 | ￥17.29 |
| 10 | ￥14.144283 | ￥141.44 |
| 100 | ￥10.999681 | ￥1099.97 |
| 500 | ￥9.323798 | ￥4661.90 |
| 1000 | ￥7.595194 | ￥7595.19 |
| 2000 | ￥7.150007 | ￥14300.01 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STN1NK80Z
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
SuperMESH™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
250mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
16Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
7.7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
160pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
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注
STN1NK80Z品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
STN1NK80Z
型号：STN1NK80Z
品牌：ST
供货：锐单
库存：4096 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.287457 |
| 10+： | ￥14.144283 |
| 100+： | ￥10.999681 |
| 500+： | ￥9.323798 |
| 1000+： | ￥7.595194 |
| 2000+： | ￥7.150007 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.29