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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 400 V
漏极电流 210 mA
漏源电阻 24 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 4.5 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Depletion
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSP179 H6327 SP001212770
单位重量 112 mg
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0BSP179H6327XTSA1
型号:BSP179H6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
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