
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.007886 | ¥8.01 |
| 10 | ¥6.854208 | ¥68.54 |
| 100 | ¥5.122333 | ¥512.23 |
| 500 | ¥4.024575 | ¥2012.29 |
| 1000 | ¥3.109911 | ¥3109.91 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.97 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 7.53 nC
耗散功率 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 59 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 27 ns
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3443CDV-T1-BE3 SI3443CDV-GE3
单位重量 20 mg
购物车
0SI3443CDV-T1-GE3
型号:SI3443CDV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.007886 |
| 10+: | ¥6.854208 |
| 100+: | ¥5.122333 |
| 500+: | ¥4.024575 |
| 1000+: | ¥3.109911 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.01