货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥2.990573 | ¥2.99 |
10 | ¥2.031098 | ¥20.31 |
100 | ¥0.990628 | ¥99.06 |
500 | ¥0.826645 | ¥413.32 |
1000 | ¥0.57444 | ¥574.44 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 350 mA
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 900 pC
耗散功率 520 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.7 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 3.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.4 ns
典型接通延迟时间 2.3 ns
高度 0.975 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN63D8L-7
型号:DMN63D8L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.990573 |
10+: | ¥2.031098 |
100+: | ¥0.990628 |
500+: | ¥0.826645 |
1000+: | ¥0.57444 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.99