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GTVA123501FA-V1-R0

CREE(科锐)
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制造商编号:
GTVA123501FA-V1-R0
制造商:
CREE(科锐)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
350W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET
渠道:
digikey

库存 :50

货期:(7~10天)

起订量:50

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
50 8119.694239 405984.71

规格参数

关键信息

制造商 Wolfspeed

商标 Wolfspeed

技术类参数

晶体管类型 HEMT

技术 GaN-on-SiC

工作频率 1.2 GHz to 1.4 GHz

晶体管极性 N-Channel

漏源击穿电压 150 V

栅源极击穿电压 - 10 V to 2 V

漏极电流 15 A

输出功率 350 W

漏极/栅极电压(Max) -

栅源极阈值电压 - 3 V

规格参数

增益 18 dB

开发套件 LTN/GTVA123501FA-V1

物理类型

产品种类 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

安装风格 Flange Mount

产品类型 RF JFET Transistors

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型号:GTVA123501FA-V1-R0

品牌:CREE

供货:锐单

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