货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.984178 | ¥6.98 |
10 | ¥5.977982 | ¥59.78 |
100 | ¥4.467506 | ¥446.75 |
500 | ¥3.510083 | ¥1755.04 |
1000 | ¥2.712347 | ¥2712.35 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.97 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 7.53 nC
耗散功率 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 59 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 27 ns
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3443CDV-T1-BE3 SI3443CDV-GE3
单位重量 20 mg
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0SI3443CDV-T1-GE3
型号:SI3443CDV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.984178 |
10+: | ¥5.977982 |
100+: | ¥4.467506 |
500+: | ¥3.510083 |
1000+: | ¥2.712347 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.98