货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.273923 | ¥6.27 |
10 | ¥5.362428 | ¥53.62 |
100 | ¥4.002289 | ¥400.23 |
500 | ¥3.144538 | ¥1572.27 |
1000 | ¥2.43002 | ¥2430.02 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 700 mA
漏源电阻 385 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
高度 1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1902DL-T1-BE3 SI1902DL-E3
单位重量 7.500 mg
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0SI1902DL-T1-E3
型号:SI1902DL-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.273923 |
10+: | ¥5.362428 |
100+: | ¥4.002289 |
500+: | ¥3.144538 |
1000+: | ¥2.43002 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.27