搜索

SI1902DL-T1-E3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
SI1902DL-T1-E3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 6.273923 6.27
10 5.362428 53.62
100 4.002289 400.23
500 3.144538 1572.27
1000 2.43002 2430.02

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 700 mA

漏源电阻 385 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 600 mV

栅极电荷 1.2 nC

耗散功率 300 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

外形参数

高度 1 mm

长度 2.1 mm

宽度 1.25 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI1902DL-T1-BE3 SI1902DL-E3

单位重量 7.500 mg

SI1902DL-T1-E3 相关产品

SI1902DL-T1-E3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 射频晶体管 ,可在锐单商城现货采购SI1902DL-T1-E3、查询SI1902DL-T1-E3代理商; SI1902DL-T1-E3价格批发咨询客服;这里拥有 SI1902DL-T1-E3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SI1902DL-T1-E3 替代型号 、SI1902DL-T1-E3 数据手册PDF

购物车

SI1902DL-T1-E3

锐单logo

型号:SI1902DL-T1-E3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥6.273923
10+: ¥5.362428
100+: ¥4.002289
500+: ¥3.144538
1000+: ¥2.43002

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥6.27