FDS6975
库存 ：1404
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.557418 | ￥17.56 |
| 10 | ￥15.706127 | ￥157.06 |
| 100 | ￥12.247195 | ￥1224.72 |
| 500 | ￥10.117373 | ￥5058.69 |
| 1000 | ￥7.987432 | ￥7987.43 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns
正向跨导（Min） 16 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 13 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDS6975_NL
单位重量 220 mg
FDS6975 同类别型号
注
FDS6975品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDS6975
数据手册PDF。
FDS6975
型号：FDS6975
品牌：ON
供货：锐单
库存：1404 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.557418 |
| 10+： | ￥15.706127 |
| 100+： | ￥12.247195 |
| 500+： | ￥10.117373 |
| 1000+： | ￥7.987432 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.56