
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ¥2.560594 | ¥5121.19 |
| 6000 | ¥2.438661 | ¥14631.97 |
| 10000 | ¥2.326103 | ¥23261.03 |
制造商 Diodes Incorporated
商标名 PowerDI
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 42 A
漏源电阻 13.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 33.3 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.1 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19.7 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
高度 0.8 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMT10H015LFG-7
型号:DMT10H015LFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2000+: | ¥2.560594 |
| 6000+: | ¥2.438661 |
| 10000+: | ¥2.326103 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00