DMT10H015LFG-7
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- 制造商编号：
- DMT10H015LFG-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 10A
- 渠道：
- digikey
库存 ：28099
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.001511 | ￥15.00 |
| 10 | ￥12.272666 | ￥122.73 |
| 100 | ￥9.545249 | ￥954.52 |
| 500 | ￥8.090817 | ￥4045.41 |
| 1000 | ￥6.590951 | ￥6590.95 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标名 PowerDI
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 42 A
漏源电阻 13.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 33.3 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.1 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19.7 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
DMT10H015LFG-7 同类别型号
注
DMT10H015LFG-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMT10H015LFG-7
数据手册PDF
。
DMT10H015LFG-7
型号：DMT10H015LFG-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：28099 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.001511 |
| 10+： | ￥12.272666 |
| 100+： | ￥9.545249 |
| 500+： | ￥8.090817 |
| 1000+： | ￥6.590951 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.00