货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.083755 | ¥13.08 |
10 | ¥10.703759 | ¥107.04 |
100 | ¥8.325006 | ¥832.50 |
500 | ¥7.056506 | ¥3528.25 |
1000 | ¥5.748379 | ¥5748.38 |
制造商 Diodes Incorporated
商标名 PowerDI
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 42 A
漏源电阻 13.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 33.3 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.1 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19.7 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
高度 0.8 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMT10H015LFG-7
型号:DMT10H015LFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.083755 |
10+: | ¥10.703759 |
100+: | ¥8.325006 |
500+: | ¥7.056506 |
1000+: | ¥5.748379 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.08