SISA34DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISA34DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.791912 | ￥7.79 |
| 10 | ￥5.100161 | ￥51.00 |
| 25 | ￥4.414472 | ￥110.36 |
| 100 | ￥3.657949 | ￥365.79 |
| 250 | ￥3.301504 | ￥825.38 |
| 500 | ￥3.068881 | ￥1534.44 |
| 1000 | ￥2.882724 | ￥2882.72 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SISA34DN-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6.7mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
12nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
+20V, -16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1100pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20.8W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
SISA34DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISA34DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、SISA34DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISA34DN-T1-GE3
型号：SISA34DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.791912 |
| 10+： | ￥5.100161 |
| 25+： | ￥4.414472 |
| 100+： | ￥3.657949 |
| 250+： | ￥3.301504 |
| 500+： | ￥3.068881 |
| 1000+： | ￥2.882724 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.79