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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 210 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 40 V, + 40 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 821 pC
耗散功率 570 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.6 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN67D7L-7
型号:DMN67D7L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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