DMN3032LE-13
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- 制造商编号：
- DMN3032LE-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥1.60078 | ￥4001.95 |
| 5000 | ￥1.497454 | ￥7487.27 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.6 A
漏源电阻 29 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11.3 nC
耗散功率 14 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.9 ns
上升时间 3.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 2.3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
DMN3032LE-13 同类别型号
注
DMN3032LE-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMN3032LE-13、查询DMN3032LE-13代理商；
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替代型号
、DMN3032LE-13
数据手册PDF
。
DMN3032LE-13
型号：DMN3032LE-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥1.60078 |
| 5000+： | ￥1.497454 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00