
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥16.165701 | ¥16.17 |
| 10 | ¥14.465515 | ¥144.66 |
| 100 | ¥11.282544 | ¥1128.25 |
| 500 | ¥9.320362 | ¥4660.18 |
| 1000 | ¥7.358181 | ¥7358.18 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 5.7 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 6.5 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
正向跨导(Min) 57 S
上升时间 13.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.4 ns
典型接通延迟时间 7.8 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 85.300 mg
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0CSD16404Q5A
型号:CSD16404Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥16.165701 |
| 10+: | ¥14.465515 |
| 100+: | ¥11.282544 |
| 500+: | ¥9.320362 |
| 1000+: | ¥7.358181 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.17