货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥4.189369 | ¥10473.42 |
5000 | ¥3.989882 | ¥19949.41 |
12500 | ¥3.805729 | ¥47571.61 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 3.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 59 nC
耗散功率 94 W
通道模式 Enhancement
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 85 S
上升时间 5.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 9.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD036N04L G SP001128832
单位重量 330 mg
购物车
0IPD036N04LGATMA1
型号:IPD036N04LGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥4.189369 |
5000+: | ¥3.989882 |
12500+: | ¥3.805729 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00