货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.536711 | ¥6.54 |
10 | ¥5.567474 | ¥55.67 |
100 | ¥4.154194 | ¥415.42 |
500 | ¥3.263848 | ¥1631.92 |
1000 | ¥2.522156 | ¥2522.16 |
制造商 Infineon
商标名 HEXFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.3 A
漏源电阻 17.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRLTS6342TRPBF SP001578898
单位重量 20 mg
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0IRLTS6342TRPBF
型号:IRLTS6342TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.536711 |
10+: | ¥5.567474 |
100+: | ¥4.154194 |
500+: | ¥3.263848 |
1000+: | ¥2.522156 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.54