FDS89161LZ
库存 ：16330
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.111511 | ￥18.11 |
| 10 | ￥16.170146 | ￥161.70 |
| 100 | ￥12.611767 | ￥1261.18 |
| 500 | ￥10.4185 | ￥5209.25 |
| 1000 | ￥8.225113 | ￥8225.11 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.7 A
漏源电阻 105 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 5.3 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 7.8 s
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 187 mg
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注
FDS89161LZ品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDS89161LZ
数据手册PDF。
FDS89161LZ
型号：FDS89161LZ
品牌：ON
供货：锐单
库存：16330 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.111511 |
| 10+： | ￥16.170146 |
| 100+： | ￥12.611767 |
| 500+： | ￥10.4185 |
| 1000+： | ￥8.225113 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.11