货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.171178 | ¥3513.53 |
6000 | ¥1.111643 | ¥6669.86 |
9000 | ¥1.03224 | ¥9290.16 |
30000 | ¥1.00844 | ¥30253.20 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 1.4 Ohms, 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 750 pC, 1.7 nC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 200 mS, 100 mS
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 20 ns
高度 0.6 mm
长度 1.66 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1029X-GE3
单位重量 32 mg
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0SI1029X-T1-GE3
型号:SI1029X-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.171178 |
6000+: | ¥1.111643 |
9000+: | ¥1.03224 |
30000+: | ¥1.00844 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00