
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.494832 | ¥7.49 |
| 10 | ¥6.383529 | ¥63.84 |
| 100 | ¥4.763095 | ¥476.31 |
| 500 | ¥3.742248 | ¥1871.12 |
| 1000 | ¥2.891844 | ¥2891.84 |
制造商 Infineon
商标名 HEXFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.3 A
漏源电阻 17.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRLTS6342TRPBF SP001578898
单位重量 20 mg
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0IRLTS6342TRPBF
型号:IRLTS6342TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.494832 |
| 10+: | ¥6.383529 |
| 100+: | ¥4.763095 |
| 500+: | ¥3.742248 |
| 1000+: | ¥2.891844 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.49