
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.795995 | ¥21.80 |
| 10 | ¥17.833087 | ¥178.33 |
| 100 | ¥13.868763 | ¥1386.88 |
| 500 | ¥11.755402 | ¥5877.70 |
| 1000 | ¥9.576086 | ¥9576.09 |
| 2000 | ¥9.014767 | ¥18029.53 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 7.2 mOhms, 7.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 54 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 20 ns, 20 ns
上升时间 3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns, 40 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 7 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N04S4L-08 SP000705576
单位重量 96.800 mg
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0IPG20N04S4L08ATMA1
型号:IPG20N04S4L08ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.795995 |
| 10+: | ¥17.833087 |
| 100+: | ¥13.868763 |
| 500+: | ¥11.755402 |
| 1000+: | ¥9.576086 |
| 2000+: | ¥9.014767 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.80