货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.051488 | ¥6.05 |
10 | ¥5.13759 | ¥51.38 |
100 | ¥3.567908 | ¥356.79 |
500 | ¥2.785414 | ¥1392.71 |
1000 | ¥2.263998 | ¥2264.00 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 1.4 Ohms, 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 750 pC, 1.7 nC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 200 mS, 100 mS
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 20 ns
高度 0.6 mm
长度 1.66 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1029X-GE3
单位重量 32 mg
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0SI1029X-T1-GE3
型号:SI1029X-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.051488 |
10+: | ¥5.13759 |
100+: | ¥3.567908 |
500+: | ¥2.785414 |
1000+: | ¥2.263998 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.05