FDB1D7N10CL7
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- 制造商编号：
- FDB1D7N10CL7
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：800
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ￥33.404999 | ￥26724.00 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 268 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 163 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 36 ns
正向跨导（Min） 237 S
上升时间 33 ns
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 39 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
FDB1D7N10CL7 同类别型号
注
FDB1D7N10CL7品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FDB1D7N10CL7
数据手册PDF。
FDB1D7N10CL7
型号：FDB1D7N10CL7
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 800+： | ￥33.404999 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00