SI4564DY-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI4564DY-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.821808 | ￥16.82 |
| 10 | ￥14.994403 | ￥149.94 |
| 100 | ￥11.690551 | ￥1169.06 |
| 500 | ￥9.657412 | ￥4828.71 |
| 1000 | ￥7.624273 | ￥7624.27 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 10 A, 9.2 A
漏源电阻 17.5 mOhms, 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV, 1.2 V
栅极电荷 20.5 nC, 41.5 nC
耗散功率 3.1 W, 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns, 14 ns
正向跨导（Min） 27 S, 25 S
上升时间 10 ns, 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns, 50 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4542DY-T1-E3-S
单位重量 750 mg
SI4564DY-T1-GE3 同类别型号
注
SI4564DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI4564DY-T1-GE3
数据手册PDF。
SI4564DY-T1-GE3
型号：SI4564DY-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.821808 |
| 10+： | ￥14.994403 |
| 100+： | ￥11.690551 |
| 500+： | ￥9.657412 |
| 1000+： | ￥7.624273 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.82