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起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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50 | ¥26.06175 | ¥1303.09 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 220 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 112 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 40 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 4.7 mm
长度 9.4 mm
宽度 10.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 TrenchT2 Power MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXTA220N04T2-7
型号:IXTA220N04T2-7
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
50+: | ¥26.06175 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00