CSD87381PT

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 15 A

漏源电阻 15.7 mOhms, 7 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1.9 V, 1.7 V

栅极电荷 3.9 nC, 8.9 nC

耗散功率 4 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 3 ns, 2.9 ns

正向跨导（Min） 40 S, 89 S

上升时间 19.3 ns, 16.3 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 10.6 ns, 16.8 ns

典型接通延迟时间 6.7 ns, 7.9 ns

高度 0.48 mm

长度 3 mm

宽度 2.5 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 Synchronous Buck NexFET Power Stage

单位重量 33.200 mg