DMN3032LFDBQ-7
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMN3032LFDBQ-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.413613 | ￥7.41 |
| 10 | ￥6.313927 | ￥63.14 |
| 100 | ￥4.71135 | ￥471.14 |
| 500 | ￥3.701863 | ￥1850.93 |
| 1000 | ￥2.860542 | ￥2860.54 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.2 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10.6 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
DMN3032LFDBQ-7 同类别型号
注
DMN3032LFDBQ-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN3032LFDBQ-7
数据手册PDF
。
DMN3032LFDBQ-7
型号：DMN3032LFDBQ-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.413613 |
| 10+： | ￥6.313927 |
| 100+： | ￥4.71135 |
| 500+： | ￥3.701863 |
| 1000+： | ￥2.860542 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥7.41