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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 310 mA
漏源电阻 8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
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0ZVP2110GTA
型号:ZVP2110GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
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