货期:国内(1~3工作日)
起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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5000 | ¥6.938834 | ¥34694.17 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 20 mOhms, 20 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns, 18 ns
上升时间 3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPG20N10S4L-22 SP000866570
单位重量 97.500 mg
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0IPG20N10S4L22ATMA1
型号:IPG20N10S4L22ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥6.938834 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00