FDG8842CZ
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.422427 | ￥8.42 |
| 10 | ￥7.151926 | ￥71.52 |
| 100 | ￥4.966377 | ￥496.64 |
| 500 | ￥3.878027 | ￥1939.01 |
| 1000 | ￥3.152129 | ￥3152.13 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V, 25 V
漏极电流 750 mA
漏源电阻 400 mOhms, 1.1 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 1.03 nC, 1.2 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1 ns, 16 ns
上升时间 1 ns, 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 9 nS, 35 nS
典型接通延迟时间 4 nS, 6 nS
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 28 mg
FDG8842CZ 同类别型号
注
FDG8842CZ品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
FDG8842CZ
型号：FDG8842CZ
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.422427 |
| 10+： | ￥7.151926 |
| 100+： | ￥4.966377 |
| 500+： | ￥3.878027 |
| 1000+： | ￥3.152129 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.42