货期:国内(1~3工作日)
起订量:30
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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30 | ¥32.579994 | ¥977.40 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 102 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 87 nC
耗散功率 455 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH102N15T
型号:IXTH102N15T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
30+: | ¥32.579994 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00