FDMS3660AS
库存 ：2984
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥9.934972 | ￥29804.92 |
| 6000 | ￥9.031819 | ￥54190.91 |
| 15000 | ￥8.684441 | ￥130266.61 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDMS3660AS
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
PowerTrench®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13A, 30A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8mOhm @ 13A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2230pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
Power56
FDMS3660AS 同类别型号
注
FDMS3660AS品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDMS3660AS
数据手册PDF。
FDMS3660AS
型号：FDMS3660AS
品牌：ON
供货：锐单
库存：2984 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥9.934972 |
| 6000+： | ￥9.031819 |
| 15000+： | ￥8.684441 |
货期：7-10天
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