NTD65N03R-1G
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- 制造商编号：
- NTD65N03R-1G
- 制造商：
- ROCHESTER(罗彻斯特电子)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.408647 | ￥4.41 |
| 25 | ￥3.682129 | ￥92.05 |
| 50 | ￥3.285845 | ￥164.29 |
| 100 | ￥3.120728 | ￥312.07 |
| 250 | ￥3.038169 | ￥759.54 |
| 500 | ￥2.922586 | ￥1461.29 |
| 1000 | ￥2.823515 | ￥2823.51 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTD65N03R-1G
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Tube
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.5A (Ta), 32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8.4mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
16nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1.4pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.3W (Ta), 50W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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注
NTD65N03R-1G品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
NTD65N03R-1G
型号：NTD65N03R-1G
品牌：ROCHESTER
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.408647 |
| 25+： | ￥3.682129 |
| 50+： | ￥3.285845 |
| 100+： | ￥3.120728 |
| 250+： | ￥3.038169 |
| 500+： | ￥2.922586 |
| 1000+： | ￥2.823515 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.41