
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.779591 | ¥11.78 |
| 10 | ¥7.343122 | ¥73.43 |
| 100 | ¥4.739373 | ¥473.94 |
| 500 | ¥3.615571 | ¥1807.79 |
| 1000 | ¥3.137196 | ¥3137.20 |
| 2000 | ¥2.9475 | ¥5895.00 |
制造商 Infineon
商标名 HEXFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.8 A, 4.6 A
漏源电阻 22 mOhms, 51 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 6.8 nC, 8.1 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.9 ns, 15 ns
正向跨导(Min) 8.2 S, 4.1 S
上升时间 4.8 ns, 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 4.9 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns, 8 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF9389TRPBF SP001551666
单位重量 540 mg
购物车
0IRF9389TRPBF
型号:IRF9389TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.779591 |
| 10+: | ¥7.343122 |
| 100+: | ¥4.739373 |
| 500+: | ¥3.615571 |
| 1000+: | ¥3.137196 |
| 2000+: | ¥2.9475 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.78