货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.601039 | ¥7.60 |
10 | ¥6.492035 | ¥64.92 |
100 | ¥4.515766 | ¥451.58 |
500 | ¥3.525636 | ¥1762.82 |
1000 | ¥2.865716 | ¥2865.72 |
2000 | ¥2.5618 | ¥5123.60 |
制造商 Infineon
商标名 HEXFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.8 A, 4.6 A
漏源电阻 22 mOhms, 51 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 6.8 nC, 8.1 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.9 ns, 15 ns
正向跨导(Min) 8.2 S, 4.1 S
上升时间 4.8 ns, 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 4.9 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns, 8 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF9389TRPBF SP001551666
单位重量 540 mg
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0IRF9389TRPBF
型号:IRF9389TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.601039 |
10+: | ¥6.492035 |
100+: | ¥4.515766 |
500+: | ¥3.525636 |
1000+: | ¥2.865716 |
2000+: | ¥2.5618 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.60